גלאי צילום מפולת
תיאור
פרמטרים טכניים
מדוע פוטו-דיודת המפולת שלנו מתפקדת טוב יותר
אנחנו מייצרים פוטודיודות מפולת. שני הדגמים הללו הם EAPD502S-12061 ו-ESAPD230-MG2. לגלאי צילום המפולת יש רווח פנימי. זה הרבה פעמים יותר רגיש מפוטודיודת PIN רגילה. הוא משמש לטווחי לייזר, LiDAR ותקשורת אופטית. לקוח מד טווח לייזר השתמש ב-EAPD502S-12061 שלנו. הם היו צריכים לזהות אותות אור חלשים מאוד. PIN רגיל לא יכול היה לעשות זאת. ל-APD שלנו יש תגובה של 45 עד 50A/W. הרווח הוא פי 100. הלקוח הגדיל את מרחק המדידה מ-100 מטר ל-500 מטר. לקוח אחר של תקשורת אופטית בחר ב-ESAPD230-MG2. יש לו אלקטרודות דו צדדיות. קל לשילוב. גלאי צילום המפולת פותר בעיות בתאורה חלשה.
החוזק הטכני שלנו
יש לנו צוות מחקר ופיתוח פוסט דוקטורט של 12 אנשים. הם מתמקדים במכשירים אופטו-אלקטרוניים. המפעל שלנו ייבאה מכונות אוטקטיות, מדבקות למות, ומקשרות תיל. יש לנו מרכז מו"פ משותף עם אוניברסיטת Hangzhou Dianzi. המוצרים שלנו עומדים בתקן RoHS. אנו עוקבים אחר הנהלת 5S. כל APD נבדק במלואו. אנו נותנים אחריות לשנה עבור מוצרים סטנדרטיים. אם הסחורה פגומה, שלח תמונות תוך 48 שעות. אנו שולחים תחליפים בחינם. צוות המכירות שלנו נותן פתרון תוך שעתיים. ה-Avalanche Photodiode עשויה בדיוק.
הסברי פרמטרים חשובים
רווח: כאשר אתה מוסיף הטיה הפוכה ל-APD, זרם הצילום מוגבר. רווח אופטימלי M=100. זה אומר שאות הפלט הוא פי 100 מאור הכניסה. ל-PIN רגיל אין רווח. תגובתיות: 45 עד 50A/W. המספר הזה גבוה מאוד. על כל 1 מיקרווואט של אור, אתה מקבל זרם של 45 עד 50 מיקרואמפר. זרם כהה: בהגברה של 100, זרם כהה הוא רק 0.6 עד 2nA. נמוך מאוד. אז הרעש קטן. זמן תגובה: 0.4ns. מהר מאוד. זה עובד עבור אותות בתדר גבוה. מתח פירוק: 130 עד 170V. אתה צריך לספק את מתח ההטיה הזה. מקדם הטמפרטורה הוא 1.25 עד 1.55V/K. כאשר הטמפרטורה עולה, מתח ההתמוטטות גם עולה. ייתכן שתצטרך פיצוי טמפרטורה. אזור רגיש לאור: EAPD502S-12061 הוא 500 מיקרומטר. זה גדול יותר וקל יותר ליישר אותו. ESAPD230-MG2 הוא 230μm. קטן יותר אך דו צדדי לחיווט קל. Avalanche Photodiode נותנת לך רווח גבוה ורעש נמוך.
שאלות נפוצות ויצירת קשר
תגיות פופולריות: גלאי צילום מפולות, יצרנים, ספקים, מפעל גלאי צילום מפולות
חלק 1: מידע בסיסי
|
פָּרִיט |
יְחִידָה |
EAPD502S-12061 |
ESAPD230-MG2 |
|
תיאור המוצר |
-- |
פוטודיודת מפולת, אזור רגיש לאור 500 מיקרומטר, 1206 SMD |
אלקטרודה דו-צדדית APD מוארת עליונה, שטח עגול של 230 מיקרומטר |
|
תכונות ליבה |
-- |
מהירות תגובה גבוהה, רווח גבוה, רעש נמוך |
תגובה גבוהה, אלקטרודה דו צדדית |
|
יישומים |
-- |
מטווח לייזר, LiDAR, תקשורת אופטית |
חישת אור גלוי, ניטור, מכשירים |
חלק 2: דירוג מרבי מוחלט
|
פָּרִיט |
יְחִידָה |
EAPD502S-12061 |
ESAPD230-MG2 |
|
הפוך זרם IR |
אִמָא |
0.25 |
-- |
|
העבר IF נוכחי |
אִמָא |
-- |
1 |
|
מתח הטיית APD VPD |
V |
-- |
0.95×VBR |
|
טמפ' הפעלה |
תוֹאַר |
-20~+60 |
-45~+85 |
|
טמפ' אחסון |
תוֹאַר |
-40~+80 |
-45~+100 |
|
הלחמה טמפ Tsol. |
תוֹאַר |
260 |
-- |
חלק 3: אלקטרו-מאפיינים אופטיים
|
פָּרִיט |
יְחִידָה |
EAPD502S-12061 |
ESAPD230-MG2 |
|
טווח ספקטרלי λ |
נ"מ |
400~1050 |
-- |
|
שיא אורך גל λp |
נ"מ |
840 |
-- |
|
מתח פירוק הפוך VBR |
V |
130~170 |
-- |
|
מקדם טמפ' מתח התמוטטות |
V/K |
1.25~1.55 |
-- |
|
Responsivity Re (A/W) |
A/W |
45~50 |
-- |
|
מזהה נוכחי כהה (M=100) |
nA |
0.6~2 |
-- |
|
זמן תגובה ts |
ns |
0.4 |
-- |
|
קיבול C |
pF |
2.0 |
-- |
|
רווח אופטימלי מ |
-- |
100 |
-- |
שלח החקירה
